Анотація до роботи:
Никируй Л.І. Механізми розсіювання носіїв струму та оптимізація термоелектричних властивостей кристалів PbTe, PbSe, PbS n-типу провідності. – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Волинський державний університет імені Лесі Українки, Луцьк, 2004. З використанням kp-методу та двозонної моделі Кейна на основі порівнянь теоретично отриманих значень рухливості вільних носіїв з експериментальними даними отримано температурні та концентраційні межі реалізації квадратичного та неквадратичного законів дисперсії вільних носіїв зі змінною ефективною масою для кристалів PbS, PbSe та PbTe n-типу провідності. У концентраційному діапазоні 1016-1020 см-3 та в інтервалі температур 4,2-300 К встановлено межі домінування основних видів розсіювання носіїв струму. Проаналізовано вплив механізмів розсіювання носіїв струму, які реалізуються у халькогенідах свинцю на кінетичні коефіцієнти (електропровідність, термо-е.р.с., теплопровідність). Показано, що впливом на переважаючі механізми розсіювання можна оптимізувати основні термоелектричні параметри. |
