Гайдар Галина Петрівна. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / НАН України; Науковий центр "Інститут ядерних досліджень". - К., 2000. - 145 арк. - Бібліогр.: арк. 124-139.