Анотація до роботи:

Танасюк Ю.В. Процеси перносу заряду в легованих кристалах CdTe, Cd_0,95Hg_0,05Te та структурах на їх основі. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук зі спеціальності 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2003.

Дисертація присвячена дослідженню електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe, легованих V, V і Ge, V і Mn, Cd_xHg_1-xTe:V:Mn (x=0,95) та Cd_1-x-yMn_yHg_xTe:V (x=0,05; 0,03y0,07) та вивченню електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм. Визначено технологічні умови росту, сприятливі для одержання напівізолюючих подвійно легованих кристалів телуриду кадмію та ртутних твердих розчинів, близьких до нього за складом. Оптичні дослідження зазначених матеріалів дозволили ідентифікувати основні фотоіонізаційні переходи, що мають місце у кристалах, легованих домішками двох видів, а також пов’язати ці дані з результатами досліджень у них явищ переносу. Експериментальним шляхом вперше встановлено існування іонів марганцю, який присутній у кристалах в якості другої легуючої домішки або ж компоненти твердого розчину, в стані Mn¹⁺ з утворенням мілкого донорного рівня у забороненій зоні.

На основі високоомних кристалів CdTe:V створено випрямляючі структури типу метал-напівпровідник, що завдяки своїй фоточутливості в області 1 – 1,5 мкм принципово можуть використовуватися як фотоприймачі у волоконно-оптичних лініях зв’язку.

Публікації автора:

1. Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В. Бар’єри Шотткі на основі структур Al-CdTe:V // Науковий вісник Ужгородського університету. Вип. 10: Фізика.– Ужгород, 2001. – С.130–133.

2. Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Брітвіна А.С. Омічні контакти до CdTe:V // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, Електроніка.- 2002.- В.133, №13.- С.33-35.

3. Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Маслянчук Е.Л., Мотущук В.В. Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe:V // Физика и техника полупроводников.–2003.–37, вып. 5.– С.469–472.

4. Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Романюк В.Р., Андрийчук М.Д., Танасюк Ю.В. Оптическая и фотоэлектрическая неоднородность кристаллов CdTe:V // Журнал прикладной спектроскопии.–2003.–70, № 3.– С.381–384.

5. Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Романюк О.С., Андрийчук М.Д., Танасюк Ю.В., Юрценюк Р.М., Сичковский В.И. Получение полуизолирующих кристаллов CdTe, легированного ванадием // Неорганические материалы.–2003.–39, № 4.–С. 412 – 414.

6. Паранчич С.Ю., Паранчич Л.Д., Макогоненко В.Н., Танасюк Ю.В., Юрценюк Р.М. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием // Журнал технической физики.–2003.–73, вып. 5.–С.120–122.

7. Паранчич С.Ю. Паранчич Л.Д., Окулов В.І., Сабирзянова Л.Д., Андрійчук М.Д., Романюк В.Р., Макогоненко В.М., Танасюк Ю.В. Магнетизм іонів Fe у безщілинних напівпровідниках Fe_xHg_1-xSe // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка.–2003.–В.157.–С. 109–112.

8. Танасюк Ю.В., Тороус В.М. Дослідження явищ переносу в плівках, вирощених лазерним випаровуванням у статичному вакуумі // Матеріали студентської конференції Чернівецького університету. - Чернівці: Рута, 1999. – С.127-128.

9. Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В. Оптичні і фотоелектричні властивості CdTe:V // Тези доповідей міжнародної конференція студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРІКА-2001, Львів, 16–18 травня, 2001.– С.109–110.

10. Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В. Бар’єри Шотткі на основі структур Al-CdTe:V // Тези доповідей конференції молодих вчених та аспірантів ІЕФ’2001, Ужгород, 11-13 вересня, 2001. – С. 55.

11. Galochkin O.V., Grytsyuk B.N., Tanasyuk Yu. V. Crystalline structure and physical properties of thin films of multicomponent compounds grown in static vacuum // Аbstracts of 6-th International workshop on expert evaluation and control of compound semiconductor materials and technologies, EXMATEC-02, Budapest, Hungary, 26–29 May, 2002.– P.123.

12. Paranchych L.D., Paranchych S.Yu., Makogonenko V.M., Tanasyuk Yu.V. Physical properties of the structures on the basis of ITO-CdTe:V // Abstracts of 6-th International workshop on expert evaluation and control of compound semiconductor materials and technologies, EXMATEC-02, Budapest, Hungary, 26–29 May, 2002. – P.148.

13. Savchuk A.I., Paranchych S.Yu., Kurganetski M.V., Stolyarchuk I.D., Tanasyuk Yu. V.Spin and size dependent effects in semimagnetic semiconductor nanostructures // Abstracts of E-MRS Spring Meeting’02, Strasbourg, France, June 18-21, 2002.– Q 23.

14. Savchuk A.I., Paranchych S.Yu., Vatamanyuk P.P., Fediv V.I., Andriychuk M.D., Tanasyuk Yu.V., Nikitin P.I. Magneto-optical and magnetoresistance effects in semimagnetic semiconductors containing rare earth ions // Abstracts of 26^th International conference on the physics of semiconductors, ISCP’02, Edinburgh, Scotland, UK, 29 July – 2 August 2002. – Р. 138-139.

15. Paranchych S.Yu., Paranchych L.D., Tanasyuk Yu.V., Romanyuk V.R., Makogonenko V.M., Yurtcenyuk R.M. Solid Solution of Cd_1-xHg_xTe:V,Mn: growth and properties // Absracts of E-MRS Fall Meeting’02, Symposium G: Solid Solution of the II-VI compound-Growth, Characterization and Applications. Zakopane, Poland, October 14-18, 2002.– abstract 53.

16. Paranchych S.Yu., Tanasyuk Yu.V., Romanyuk V.R., Makogonenko V.M., Yurtsenyuk R.M. Obtaining and optoelectronic properties of Cd_1-x-yMn_yHg_xTe/ // Abstracts of third international young scientists conference, SPO 2002, Kiev, October 24-26, 2002.– Р.147.