Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників і діелектриків


Полигач Євген Олегович. Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2002. - 139арк. - Бібліогр.: арк. 128-139.



Анотація до роботи:

Полигач Є.О. Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, 2003.

Дисертація присвячена експериментальному вивченню факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливих механізмів і результатів взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць. У роботі досліджувалися монокристали системи PbTe-SnTe, вирощені із розплаву та із парової фази та леговані домішкою Gd в процесі росту. Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) показано, що домішка гадолінію у досліджуваних кристалах представлена одночасно у двох зарядових станах Gd2+ та Gd3+, співвідношення між якими залежить від стану системи власних дефектів досліджуваних кристалів і при постійній концентрації домішки може бути змінене шляхом застосуванням технологічних процедур, що впливають на неї. Отримані результати інтерпретуються на основі моделі існування іона домішки гадолінію в зарядовому стані Gd3+ у кристалах телуридів свинцю і олова як складової частини структурного комплексу, що містить іон домішки у металічних позиціях кристалічної ґратки та вакансію у підґратці халькогену. Методом мессбауерівської спектроскопії на ядрах 119Sn встановлено існування кореляцій між напівпровідниковими параметрами досліджуваних кристалів та мессбауерівськими параметрами спектрів. Зроблено висновок про те, що легування домішкою гадолінію кристалів Pb1-xSnxTe при їх вирощуванні із розплаву дозволяє ефективно знижувати сумарну концентрацію точкових дефектів у них.

Публікації автора:

  1. Заячук Д.М., Кемпник В.І., Полигач Є.О. Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР // Вісник НУ “Львівська Політехніка” Електроніка. –2000. – 401. – C.86-92.

    Заячук Д.М., Полигач Є.О., Слинько Є.І., Хандожко О.Г. ЕПР Кристалів PbTe:Gd // Вісник НУ “Львівська Політехніка” Електроніка. – 2001. – 423. – C.81-86.

    Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., Kempnyk V., Baltrunas D. Native defects and rare-earth interactions in IV-VI crystals // Physica B: Condensed Matter. – 2001. – Vol.308-310. – P.1057-1060.

    Zayachuk D.M., Polyhach Ye.O., Mikityuk V.I., Baltrunas D.A. Study of the Gd impurity influence on the defect structure of the Pb1-xSnxTe crystals by means of the 119Sn Mssbauer spectroscopy // Phys. stat. sol. (b). – 2001. – Vol.225 – P.311-316.

    Балтрунас Д.І., Заячук Д.М., Микитюк В.І., Полигач Є.О. Дослідження дефектної структури кристалів Pb1-xSnxTe:Gd методом месcбауерівської спектроскопії на ядрах 119Sn // Фізика і хімія твердого тіла. – 2001. – Т.2. –C.559-563.

    Заячук Д.М., Кемпник В.І., Полигач Є.О., Слинько Є.І., Хандожко О.Г. Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова // Вісник НУ “Львівська Політехніка” Електроніка. – 2002. – 455. – C.147-156.

    Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., and Rudowicz C. Peculiarity of the EPR spectra of impurity Gd ions in lead telluride single crystals // Physica B: Condensed Matter. – 2002. – Vol.322. – P.270-275.

    Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., Kempnyk V., Baltrunas D. Native defects and rare-earth impurities interaction in IV-VI crystals // Proc. The 21st Intern. Conference on Defects in Semiconductors ISDC XXI. – Giessen (Germany). – 2001. – P.347.

    Балтрунас Д.І., Заячук Д.М., Микитюк В.І., Полигач Є.О. Дослідження дефектної структури кристалів Pb1-xSn1-yTe:Gd методом месс-бауерівської спектроскопії на ядрах 119Sn // VIII міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок. Матеріали конференції. – Івано-Франківськ (Україна). – 2001. – С.236-237.

    Заячук Д., Полигач Є. Домішково-структурні комплекси технологічного походження у напівпровідниках А4В6 // Тези ІІІ міжнарод. школа-конф. “Сучасні проблеми фізики напівпро- відників”. – Дрогобич (Україна). – 2001. – С.16.

    Zayachuk D., Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., Rudowicz C. Peculiarities of the EPR activity of the Gd impurity in the Sn-rich Pb1-xSnxTe solid solutions // Proc. of the XXXI Congress Ampere – Magnetic Resonance and Related Phenomenа. – Poznan (Poland) 2002. – P.260.