Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика напівпровідників і діелектриків


Виклюк Ярослав Ігорович. Зонна структура, хімічний зв'язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1- xBix: Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2002. - 140арк. - Бібліогр.: арк. 130-140.



Анотація до роботи:

Виклюк Я.І.

Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2002

Дисертацію присвячено теоретичному дослідженню зонної структури, хімічного зв’язку та оптичних властивостей твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх. Електронна зонна структура твердих розчинів розраховувалась методом локального модельного псевдопотенціалу при врахуванні спін-орбітальної взаємодії, композиційної невпорядкованості та неузгодженості постійних гратки. Виникаюча внаслідок останнього локальна деформація гратки була врахована при розрахунках деформаційних потенціалів.

Досліджено перебудову хімічного зв’язку у вищевказаних сплавах зі зміною складу х, використовуючи підхід повної валентної густини заряду та полярності aр. Проведений розрахунок поперечного ефективного заряду, пружних констант, проаналізовано вплив на них перебудови хімічного зв’язку.

Врахування внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості у сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх дозволяє пояснити їх основні оптичні характеристики.

Досліджено вплив підкладки на зонну структуру та оптичні властивості тонких псевдоморфних плівок. Показано, що виникаючі при цьому біаксіальні деформації розтягу або стиску по-різному впливають на зміну положення піків Е1, Е1+D1, Е2 та Е2+D2.